2024年1月6日 星期六 1时19分31秒
针对第三代半导体芯片碳化硅、氮化镓我们开发了半烧结和全烧结银,具有优异的电性能和力学性能,尤其在Fillet height、RBO、VOILD方面具有独特优势。
独特的烧结银技术
高导热100 w/mk
无空洞