随着功率半导体模块向大尺寸、高功率密度发展，钜合新材料推出的SECrosslink H82E无压烧结银膏，为裸铜框架上的大尺寸芯片封装提供了创新的材料解决方案。
近日，钜合（上海）新材料科技有限公司宣布推出SECrosslink H82E无压烧结银膏，该产品专门针对裸铜框架上的大尺寸芯片封装而开发，解决了传统烧结材料在氧化敏感基材上应用的工艺难题。
这一突破性产品将进一步推动新能源汽车、工业电源及光伏逆变器等领域用功率模块的封装技术革新。
01 应对行业技术挑战
随着功率半导体模块向高功率密度、高可靠性方向发展，芯片尺寸不断扩大，对界面连接材料的性能要求日益提高。
大尺寸芯片在封装过程中面临热机械应力挑战，而裸铜框架易氧化的特性更是增加了工艺难度。
传统烧结银膏往往需要复杂的表面处理工艺或较高的烧结压力，增加了工艺复杂性和成本。
钜合新材研发的SECrosslink H82E无压烧结银膏，通过独特的配方设计和优化的烧结工艺，实现了在裸铜框架上的可靠连接，且适用于大尺寸芯片的封装需求。
02 产品核心技术特性
SECrosslink H82E无压烧结银膏具有多项突出技术优势：
优异的抗氧化烧结特性：该产品可在空气环境中实现无压烧结，无需额外的保护气体环境，显著降低了工艺复杂性和设备成本。
卓越的热管理性能：H82E具有高导热系数，能有效传导大尺寸芯片工作时产生的大量热量，确保芯片结温保持在安全范围内，提升器件可靠性。
强大的连接可靠性：烧结后形成的银层致密度高，与裸铜框架形成牢固的冶金结合，剪切强度优异，能满足大尺寸芯片在温度循环条件下的长期可靠性要求。
宽工艺窗口设计：产品具有较宽的烧结工艺窗口，便于在工业化生产中实现稳定的工艺控制和良率保障。
03 推动封装技术创新
SECrosslink H82E的推出，为功率半导体封装带来了新的技术可能：
该产品使设计人员能够在裸铜框架上直接进行芯片烧结，省去了复杂的框架预处理工序，简化了工艺流程。
对于大尺寸芯片（如大型IGBT、SiC MOSFET芯片），H82E提供了可靠的界面连接解决方案，有效分散热机械应力，减少芯片开裂风险。
产品适用于多种芯片尺寸，特别是针对面积大于5×5mm²的大尺寸芯片应用进行了专门优化，展现出卓越的性能一致性。
04 广阔应用前景
SECrosslink H82E无压烧结银膏在多个高增长领域具有广泛应用前景：
在新能源汽车主逆变器功率模块中，该产品可用于连接大尺寸SiC芯片与裸铜基板，提升模块的功率密度和可靠性。
光伏逆变器和工业电源系统采用H82E封装的功率模块，能够实现更高的开关频率和效率，减小系统体积和重量。
随着轨道交通和智能电网对高可靠性功率半导体需求的增长，H82E将为这些领域提供关键的封装材料支持。
钜合新材技术总监表示：“SECrosslink H82E是我们针对行业痛点开发的创新解决方案，它解决了裸铜框架上大尺寸芯片封装的特殊挑战，为客户提供了更简便、更可靠的封装选择。”
目前，该产品已通过国内多家头部功率模块厂商的评估测试，并开始小批量供货。
