无压烧结银膏的选型和技术咨询

浏览：作者：来源：时间：2026-07-12 分类：行业动态

SECrosslink系列低温无压烧结银膏，是第三代半导体功率器件封装核心互联材料，由钜合新材自研量产，性能对标国际高端，适用于SiCGaN功率模块车载电源新能源快充光电器件等高可靠场景

SECrosslink® 系列低温无压烧结银膏，是第三代半导体功率器件封装核心互联材料，由钜合新材自研量产，性能对标国际高端，适用于 SiC/GaN 功率模块、车载电源、新能源、快充、光电器件等高可靠场景。

SECrosslink H80E

通用型无压烧结银膏，180–200℃烧结，导热＞100 W/m・K，粘接强度高、工艺窗口宽，适合车规 / 工业功率器件大批量量产。

超高导热型纳米银膏，导热达 220 W/m・K，200℃无压烧结，低离子析出、抗电迁移，专为 GaN 高频快充与高散热器件设计。

裸铜框架专用烧结银膏，180–200℃无压，大尺寸芯片铺展性好，裸铜直接烧结、空洞率低，降低基材成本，适配大功率 SiC 模块。

超低温超高导热银膏，最低 150℃无压烧结，导热 220 W/m・K，热应力极小，适合超薄芯片、热敏器件、高密度微型模组。

详情可咨询：13331898656

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