2026年7月12日 星期天 13时53分00秒
导热系数:>100 W/m・K
室温剪切强度(2×2mm Si/Au-Ag):≥13kg,260℃高温剪切强度≥5.6kg
玻璃化温度 Tg:210℃,长期耐温 260℃以上
无压烧结区间:180–200℃
中小功率 SiC MOSFET、IGBT 功率模块封装
车载 DC-DC、OBC 车载充电机
工业电源、光伏逆变功率器件
镀金 / 镀银标准引线框架常规芯片粘接